功耗降四成、晶片縮小 35% 聯電 14 奈米新製程加持高階手機顯示

聯華電子(UMC)今(5/14)日宣布推出全新14奈米嵌入式高壓(eHV)FinFET 製程平台,鎖定顯示驅動IC應用,並已提供製程設計套件(PDK)供客戶導入設計。這項新技術已在聯電12A廠完成驗證,將有助於提升高階智慧型手機與摺疊式 OLED 面板的效能與整合度,進一步推動新世代顯示技術發展。(首圖為AI生成)

相較於聯電目前量產中的22奈米 eHV 製程,新平台可降低約40%功耗,並縮小約35%的晶片面積,不僅有助延長手機電池續航,也讓顯示模組設計更輕薄。數位電路部分導入 FinFET 元件,搭配最佳化 I/O 設計與更高驅動速度,可提升訊號完整性,滿足高解析度與高更新率顯示需求。中電壓元件則具備更小線寬與更寬操作電壓範圍,增加電路設計彈性。

聯電技術研發副總經理徐世杰表示,顯示技術持續朝向高畫質、高速度與低功耗發展,此次推出14奈米 eHV 平台,是聯電首次將 FinFET 技術導入顯示驅動IC領域,具有重要里程碑意義。未來將持續透過先進製程技術,協助客戶將創新產品快速導入量產。

聯電指出,公司長期深耕 OLED 顯示驅動IC市場,目前也是業界少數能提供先進 eHV 製程的晶圓代工廠。隨著14奈米平台加入,聯電高壓製程技術已涵蓋0.6微米至14奈米,結合完整 IP 資源與設計支援服務,提供更完整的顯示驅動解決方案,並持續擴大在高階顯示應用市場的競爭力

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柯宗鑫
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