中國力拚半導體自給自足 專家示警美國版《瓊斯法案》

商傳媒|責任編輯/綜合外電報導

中國將建立「AI經濟強國」設定為國家目標,並將半導體技術自給自足視為關鍵。《朝鮮日報》報導,中國晶片業者呼籲集中力量打造「中國版ASML」,以取代因美國制裁而無法進口的艾司摩爾(ASML)極紫外光(EUV)曝光機。

成均館大學教授權錫俊(Kwon Seok-jun)表示,中國在10奈米級傳統半導體技術上已接近領先地位,材料、零件、設備和封裝技術也快速發展。儘管尚未達到南韓的尖端製程水準,但中國政府和產業已列出待克服的技術清單,並定期追蹤進展,多數項目都已有所突破。權錫俊將於4月出版新書《中國半導體崛起》。

權錫俊指出,中國半導體設備公司在2025年的「中國國際半導體展覽會(Semicon China)」上,展示了國產深紫外光(DUV)曝光機,用於半導體製造。一家新創公司甚至使用雷射產生電漿(LPP)光源,做為替代ASML光源的方法。目前,中國正同步提升光源技術、光學設備製造和精密機械工程等尖端半導體設備所需的技術,中國版ASML在十年內出現的可能性不容忽視。

權錫俊提到,南韓半導體產業正面臨人才短缺,但中國的情況不同。武漢一所大學擁有超過160名半導體相關科系的教授和1,800多名研究生,且實驗室提供學生全天候晶圓設計和製造服務。中國也透過大規模國內市場優勢,推動技術發展。例如,中國的電池產業透過技術發展,克服了能量密度低和爆炸風險等缺點,並利用學習曲線和規模經濟來提高價格競爭力,進而主導全球電池市場。

權錫俊認為,如果中國能將國家資本長期投入半導體產業,讓企業在不斷試錯中累積技術、培養工程師並降低成本,中國模式可能在半導體領域取得成功。他並表示,南韓的半導體產業正面臨「超級週期」,這波由AI驅動的高頻寬記憶體(HBM)需求帶動的週期,預計將持續到2027年底。有別於以往,記憶體半導體製造商越來越要求客戶簽訂「照付不議(take-or-pay)」合約,降低了製造商的過度生產和沉沒成本風險。

權錫俊建議,客製化記憶體半導體製造能力與高性能AI半導體連結,將是未來的發展方向。三星電子(Samsung Electronics)在記憶體半導體市場領導者中擁有晶圓代工產線,因此佔據相對有利的位置。他提醒,若SK海力士(SK Hynix)未能擴大產線、發展技術或取得晶圓代工能力,以滿足客戶對更高性能客製化記憶體的需求,可能會面臨潛在風險。例如,台積電(TSMC)可能直接生產HBM的邏輯晶片,並從2027年左右的HBM4E開始供應給輝達(NVIDIA)。

此外,權錫俊示警,南韓的半導體產業必須為潛在的「半導體瓊斯法案(Semiconductor Jones Act)」做好準備,這項法案可能要求美國主導的AI專案使用的半導體,必須在美國工廠製造。因此,南韓企業在美國的布局,有助於確保參與未來半導體技術或量子電腦等關鍵技術合作的機會。

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