中國半導體掙脫美國管制封印?傳華為逆襲加速EDA自研

商傳媒|記者責任編輯/綜合外電報導

美中科技戰暗潮洶湧,美國總統川普展開第二任期後,持續加大管制對中國出口EDA(電子設計自動化)工具的禁令,華為在半導體層層封鎖下,持續尋求技術自主突破。根據《DigiTimes》報導分析,華為已成功與多家中國EDA新創公司合作,完成14奈米以下EDA(電子自動化軟體工具)自研,實現設計流程自主可控,同時應用在麒麟9020晶片的開發上,並搭載於去年發表的Mate 70旗艦手機。

專家認為,這項技術「突破」象徵中國半導體供應鏈已成功擺脫對海外EDA廠商的依賴,特別是在GAAFET(環繞閘極場效電晶體)結構日漸普及、技術進入2奈米世代後,設計流程的複雜度暴增,若無先進EDA軟體支援,將無法驗證晶體管幾何、功耗與時脈等核心指標。

知名爆料者@Jukanlosreve(X帳號)指出,華為自2023年3月起,已逐漸掌控14奈米EDA工具的開發節奏,下一步將針對7奈米以下進一步優化設計工具,並可能授轉給中國其他廠商使用,預期這些工具也將支援Pura 80新旗艦系列晶片設計。

科技媒體《Wccftech》報導指出,目前華為麒麟9020是由合作夥伴中芯國際(SMIC)採用DUV(深紫外光)技術,以7奈米製程量產;也由於中國尚未取得荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)最先進的EUV(極紫外光)機台,導致中國在5奈米以下的製程尚無法實現高良率商轉。

據悉,中國半導體設備商新凱來(SiCarrier)正與華為共同研發「國產EUV替代方案」,同時已啟動28億美元資金募資計畫;但預計在數年後,此方案要比肩ASML等級的產能與穩定度仍具高度挑戰。

報導進一步指出,儘管華為已取得在EDA領域的階段性成果,但若小米無法取得針對GAAFET結構進行時序與功耗驗證的EDA套件,未來恐怕無法與高通、聯發科、蘋果等廠商,在高階智慧型手機市場一較高下。

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