安森美宣布與晶圓代工廠格羅方德達成合作協定，雙方將共同研發並製造下一代氮化鎵功率元件，首波產品鎖定650V規格，預計應用於AI資料中心、電動車、工業系統、可再生能源及航空航太等高成長市場。此次合作結合先進製程與系統級設計，旨在回應高功率密度與高能效並存的市場需求。(首圖來源：安森美)
根據規畫，雙方將採用格羅方德200毫米增強型矽基氮化鎵製程，並由安森美整合其在矽基驅動器、控制器與強化散熱封裝方面的技術優勢，打造尺寸更小、效率更高的功率解決方案。此類元件特別適合空間受限、功率需求持續提升的應用場景，有助系統設計進一步簡化並提升整體能效表現。
安森美指出，新一代GaN功率元件可支援更高開關頻率與雙向導通特性，能減少系統中被動元件與傳統電晶體數量，進而降低系統體積與設計複雜度。透過高度整合化的封裝設計，相關產品亦有助縮短開發時程、降低電磁干擾，並在高負載條件下維持穩定與可靠運作。
格羅方德則表示，此次合作不僅有助於推動氮化鎵半導體技術量產化，也能強化關鍵產業的供應鏈韌性，支援人工智慧、電氣化與永續能源的長期發展。安森美規畫於2026年上半年向客戶提供650V氮化鎵元件樣品，並視市場需求逐步擴大量產規模，進一步鞏固其在高效能功率半導體領域的布局。
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