商傳媒｜記者責任編輯／綜合外電報導
儘管美中雙邊貿易關係趨向平緩，但美國仍打算持續掐住對中國AI晶片的出口管制。根據《CNBC》報導分析，美國商務部長盧特尼克（Howard Lutnick）近日受訪時表示，中國在這次談判過程中，數度要求美方放行晶片出口多達30次，但基於雙方在AI領域競爭，美國立場堅定、絕不會將「最佳晶片」雙手奉上。
報導進一步指出，中國已將「重任」寄託在本土科技龍頭華為（Huawei）以及中芯國際（SMIC），並試圖打造自主AI晶片供應鏈；專家對此提出看法，「儘管中國在設計領域有所突破，但在製造與先進設備取得上，仍面臨關鍵瓶頸」。
礙於美國對輝達H100與H20等高階AI晶片的銷售禁令，迫使中國產業轉向扶植本土新創，包括華為旗下的海思半導體（HiSilicon）、沐曦、壁仞科技等均受注目。據外媒先前報導，華為推出的昇騰（Ascend）910C晶片，性能已逼近輝達降規版的H20，顯示中國GPU設計能力正急起直追。
半導體分析機構SemiAnalysis評估，Ascend 910B性能約落後輝達兩年，最新的910C僅落後一年，顯示中國晶片設計技術正在大幅縮短差距。
儘管軟體設計能力精進，製造技術仍是中國發展AI晶片的最大「硬傷」，由於目前華為仍遭列於美國實體管制清單，在無法委由台積電代工的情況下，被迫轉向中國本土品牌中芯國際。據悉，中芯國際目前已可生產7奈米晶片，甚至在華為Mate 60 Pro中導入5奈米製程，但基於良率低、成本高，始終無法看到台積電的車尾燈。
中國AI晶片「自主」的另一個關鍵限制，來自荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）最先進的極紫外（EUV）光刻設備，持續礙於禁令無法輸出中國，導致中芯國際被迫使用舊款深紫外（DUV）技術「量產」。SemiAnalysis分析師Jeff Koch對此直言：「目前中國芯國際7奈米良率偏低，產能無法滿足市場需求，卡脖子的狀況仍無解」。
據傳，中國正嘗試由矽載體技術公司（SiCarrier）研發本土光刻技術；但分析師認為，要追趕上艾司摩爾的層級，至少需要十年以上的努力，預期中國在短期內難以突破。
在AI運算領域，高頻寬記憶體（HBM）與GPU同等重要，目前全球HBM市場幾乎被韓國SK海力士、三星與美國美光（Micron）三王稱霸，中國則由長鑫存儲（CXMT）試圖追趕。報導指出，長鑫存儲正與封裝廠通富微電（Tongfu Microelectronics）合作開發初步版本的HBM，但目前仍落後領先廠商約3至4年。
SemiAnalysis預估，長鑫存儲至少要到明年才能進入有效產量階段，因此華為仍須倚賴過往從三星等海外廠商囤積的HBM庫存，藉此支撐Ascend晶片運算效能。稍早也有報導指出，華為與武漢新芯（XMC）攜手打造HBM晶圓產線，但雙方仍未公開證實。
